美司法部起诉中国商人涉盗取通用电气商业机密

美司法部起诉一中国商人涉盗取通用电气商业机密 https://t.co/ZWBCKRSeiR pic.twitter.com/wuipdnumnq

— RFI 华语 - 法国国际广播电台 (@RFI_Cn) February 27, 2021

美国司法部2月26日发表声明指，现年64岁居住在香港的中国商人吴志龙（Chi Lung WinsmanNg、音译）于25日遭到起诉。他被指涉嫌在2017至2018年期间，串谋窃取通用电气（GeneralElectric）的半导体技术及商业机密。

美国司法部国家安全事务助理部长德默斯（JohnC. Demers）表示，“吴志龙和他的同谋者被指选择窃取他们缺乏时间、人才或金钱创造的东西。为了外国公司的利益而窃取美国知识产权，剥夺了美国公司的创意成果，剥夺了美国工人的工作。司法部将尽其所能，破坏这种非法的、破坏经济的行为。”

检方的起诉书称，大约在2017年3月至2018年1月期间，吴志龙和至少一名同谋策划开发一项业务，利用从通用电气公司窃取的商业机密生产和销售碳化硅MOSFET。据悉，碳化硅MOSFET，即碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种小型的电子半导体/开关，可以调节电力在设备中的流动，用于各种产品当中。

起诉书称，吴与至少另外一人合谋，后者是一名在通用电气公司工作了7年多的工程师。他们被指同谋窃取了该公司的碳化硅MOSFET商业机密和其他专有信息。吴和同谋1号利用这些商业秘密制定了一份商业计划，并制作了PowerPoint演示文稿，交给潜在的投资者。二人向潜在投资者表示，他们的企业可以在三年内盈利，并估价将拥有有形和无形资产价值1亿美元。

作为该计划的一部分，二人寻求约3000万美元的资金投资，以换取他们的创业公司的所有权股份。据称，2017年8月，吴和同案犯1号在中国会面，并向一家考虑向其初创公司提供资金的中国投资公司作了介绍。美国司法部称，“我们没有证据表明存在向任何中国公司非法转让MOSFET技术的情况，包括吴和他的同谋试图成立的公司”。目前吴志龙尚未被美方逮捕。如果这一罪名成立，他将面临最高10年的监禁和最高25万美元的罚款。

免责声明：本网转载的文章仅为传播更多信息之目的，本网未独立核实其内容真实性，文章也不代表本网立场。如文章侵犯了你的权利，请联系我们修改或删除。本网提供的内容，包括并不限于财经、房产类信息，仅供参考，不构成投资建议；本网内容，包括并不限于健康、保健信息，亦非专业意见、医疗建议，请另行咨询专业意见。本网联系邮箱：[email protected]