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美国总统拜登（右3）在南韩总统尹锡悦（右2）陪同下参访三星平泽园区。 美联社 美国总统拜登20日抵达南韩，随即在南韩总统尹锡悦陪同下前往三星电子平泽园区参访，由三星电子向他展示最先进的3纳米芯片制程。 韩联社报导，拜登展开上任以来首次亚洲行，首站造访南韩，预计将在南韩停留三天。美联社报导指出，拜登在韩国的第一个参访地点是三星芯片厂，凸显拜登此行的焦点之一是电脑芯片短缺问题。三星利用拜登此次访问，向拜登示范准备在美国德州建造的半导体厂。 知情人士透露，三星预计将展示采用环绕闸极技术（GAA）架构的3纳米制程工艺；三星将在未来几个月内以这项次世代的技术量产，“三星可能向拜登展示3纳米制程，以强调其晶圆代工实力足以与台湾的台积电抗衡”。 根据三星的说法，相较于5纳米芯片制程，GAA制程最多能让芯片尺寸缩小35%，同时将性能提高30%、功耗降低50%。三星还说，旗下2纳米的制程节点尚处于开发的早期阶段，预定2025年量产。 免责声明：本网转载的文章仅为传播更多信息之目的，本网未独立核实其内容真实性，文章也不代表本网立场。如文章侵犯了你的权利，请联系我们修改或删除。本网提供的内容，包括并不限于财经、房产类信息，仅供参考，不构成投资建议；本网内容，包括并不限于健康、保健信息，亦非专业意见、医疗建议，请另行咨询专业意见。本网联系邮箱：contact@cacnews.ca  |
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