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11月11日，第一财经记者从美国加利福尼亚北区法院公布的信息了解到，长江存储已于11月9日起诉美光科技有限公司（下称“美光”）及全资子公司美光消费产品集团有限责任公司侵犯其8项美国专利。长江存储在专利侵权起诉书中称，诉讼是为了终止美光广泛且未经授权使用长江存储专利创新。
2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，2019年量产64层256Gb TLC 3DNAND闪存，2020年跳过96层研发两款128层闪存产品。长江存储此前还推动扩产。集邦咨询分析称，2022年第三季度，受长江存储扩大笔电ClientSSD出货等影响，价格战日益激烈，原厂不得不拉大议价空间，吸引客户提高订单数量。 2022年10月，美国商务部工业和安全局发布出口管制新规，限制对中国出口芯片制造设备等，将长江存储NANDFlash芯片层数卡在已量产的最新工艺上。当年12月，美国又将长江存储纳入出口管制“实体清单”。 除NANDFlash外，美光也是主要的DRAM生产商之一。2016年，生产DRAM的另一大存储芯片厂商福建晋华与联电签署技术合作协议，开发DRAM相关制程技术，在福建晋江投资56.5亿美元建设一条12英寸晶圆厂生产线。2017年，美光在美国起诉晋华与联电，称晋华员工窃取其知识产权交给晋华。2018年，美国商务部又将晋华列入出口管制“实体清单”。 免责声明：本网转载的文章仅为传播更多信息之目的，本网未独立核实其内容真实性，文章也不代表本网立场。如文章侵犯了你的权利，请联系我们修改或删除。本网提供的内容，包括并不限于财经、房产类信息，仅供参考，不构成投资建议；本网内容，包括并不限于健康、保健信息，亦非专业意见、医疗建议，请另行咨询专业意见。本网联系邮箱：contact@cacnews.ca  |
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